ReRAM: Schneller als Flash und ab 2014 zu haben

(cafm-news) – Das US-amerikanische Unternehmen Crossbar hat jetzt angekündigt, im kommenden Jahr seine neue Speichertechnologie ReRAM auf den Markt zu bringen. ReRAM soll aktuell bis zu einem TByte Daten pro Chip speichern können, rund 20 mal schneller schreiben als NAND-Flash, rund 10.000 Speicherzyklen pro Zelle sicher überstehen und einen geringeren Energiebedarf als die etablierten Flash-Speicherchips haben. Damit ließen sich zum einen hohe Speicherkapazitäten auf geringem Raum realisieren, ihre Sicherheit wäre höher und zugleich könnte sich die Akkulaufzeit mobiler Endgeräte deutlich verlängern. Bis dahin wird aber noch einiges an Zeit vergehen. Für den Massenmarkt der Endkonsumenten will Crossbar erst 2016 erste Produkte anbieten. Erste Anwendung im professionellen Umfeld sind dagegen schon im kommenden Jahr möglich.

Bild: Crossbar